Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung M471B5173QH0-YK0
О товаре:
- Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания: 1.35 В
- Тип памяти: DDR3L
- Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
- Тактовая частота: 1600 МГц
- Пропускная способность: 12800 МБ/с
- Объём: 1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC: нет
- Поддержка XMP: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 11
- RAS to CAS Delay (tRCD): 11
- Row Precharge Delay (tRP): 11
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 35
