Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2C4G3N169ES4CEU

Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2C4G3N169ES4CEU
Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2C4G3N169ES4CEU
1 из 1
О товаре:
  • Напряжение питания: 1.2 В
  • Тип памяти: DDR3L
  • Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
  • Тактовая частота: 1600 МГц
  • Пропускная способность: 12800 МБ/с
  • Объём: 2 модуля по 4 ГБ
  • Поддержка ECC: нет
  • Буферизованная (Registered): нет
  • Низкопрофильная (Low Profile): нет
  • CAS Latency (CL): 9
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 9
  • Row Precharge Delay (tRP): 9
  • Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

Похожие товары