Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Ballistix BLS4G3D1609DS1S00CEU


О товаре:
- Напряжение питания: 1.2 В
- Радиатор: есть
- Количество ранков: 2
- Тип памяти: DDR3
- Форм-фактор: DIMM 240-контактный
- Тактовая частота: 1600 МГц
- Пропускная способность: 12800 МБ/с
- Объём: 1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 9
- RAS to CAS Delay (tRCD): 9
- Row Precharge Delay (tRP): 9
- Activate to Precharge Delay (tRAS): 24