Оперативная память 4 ГБ 1 шт. GoodRAM IR-2133S464L14S/4G

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. GoodRAM IR-2133S464L14S/4G Оперативная память 4 ГБ 1 шт. GoodRAM IR-2133S464L14S/4G Оперативная память 4 ГБ 1 шт. GoodRAM IR-2133S464L14S/4G
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. GoodRAM IR-2133S464L14S/4G Оперативная память 4 ГБ 1 шт. GoodRAM IR-2133S464L14S/4G Оперативная память 4 ГБ 1 шт. GoodRAM IR-2133S464L14S/4G
1 из 3
О товаре:
  • Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
  • Напряжение питания: 1.2 В
  • Радиатор: есть
  • Количество ранков: 2
  • Тип памяти: DDR4
  • Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
  • Тактовая частота: 2133 МГц
  • Пропускная способность: 17000 МБ/с
  • Объём: 1 модуль 4 ГБ
  • Поддержка ECC: нет
  • Буферизованная (Registered): нет
  • Низкопрофильная (Low Profile): нет
  • CAS Latency (CL): 14
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 14
  • Row Precharge Delay (tRP): 14

Похожие товары