Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1333 DIMM 4Gb
О товаре:
- Количество чипов каждого модуля: 36, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания: 1.5 В
- Количество ранков: 2
- Тип памяти: DDR3
- Форм-фактор: DIMM 240-контактный
- Тактовая частота: 1333 МГц
- Пропускная способность: 10600 МБ/с
- Объём: 1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 9
- RAS to CAS Delay (tRCD): 9
- Row Precharge Delay (tRP): 9
