Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK

Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK
Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Ballistix BLS2K8G4D30AESEK
1 из 4
О товаре:
  • Тип: накладка
  • Производитель телефона: Apple
  • Модели Apple: iPhone Xr
  • Совместимость: Apple iPhone Xr
  • Материал: арамид (кевлар)
  • Свойства: ударопрочный
  • Тип памяти: DDR4
  • Форм-фактор: DIMM 288-контактный
  • Тактовая частота: 3000 МГц
  • Пропускная способность: 24000 МБ/с
  • Объём: 2 модуля по 8 ГБ
  • Поддержка ECC: нет
  • Поддержка XMP: есть
  • Буферизованная (Registered): нет
  • Низкопрофильная (Low Profile): нет
  • CAS Latency (CL): 15
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 16
  • Row Precharge Delay (tRP): 16

Похожие товары